噪音抑制產品 / EMI 抑制濾波器 / ESD 保護裝置
雜訊抑制濾波器指南
關於抗噪對策的基礎知識,已於第 9 課之前的課程中說明過;作為其後續內容,本課將探討使用抗噪元件時應注意的事項,以及遇到困難時應採取的措施。第一部分將討論晶片鐵氧體珠。
正如我們在第 4 課所提到的,片式鐵氧體珠是一種採用鐵氧體製成的電感器。因此,必須注意的是,當有大電流流過時,其性能會因磁飽和程度而產生變化。
圖 1 展示了一些當電流流經片式鐵氧體珠時,阻抗值所發生變化的實例。
如圖所示,當大電流流經晶片鐵氧體珠時,阻抗值會下降;這意味著若將鐵氧體珠應用於大電流流經之處,未必能獲得預期結果。 在這種情況下,必須選用額定電流具有一定餘裕的元件,或選用初始阻抗較高的元件,或是想出其他創新的解決方案。然而,鐵氧體珠僅在流經大電流時才會發生磁飽和,一旦電流降低,其原始性能便會恢復。 這意味著,在電流僅短暫增加的電路中,有時並不會造成問題(但請注意,該瞬間的磁飽和仍可能引發問題)。 由於難以確定其具體影響,因此當根據實際產品的評估結果,推斷鐵氧體珠無法正常運作時,我們推測問題可能出在磁飽和上。
在數位電路中使用鐵氧體珠時,波形中有時會出現過衝和欠衝現象(參見圖 2)。
此現象是由於鐵氧體珠的電感與電路中其他元件的靜態電容(例如 IC 的輸入電容等)產生共振所致,因此當鐵氧體珠的阻抗曲線較陡峭時,較容易發生此現象。 改善此狀況的一種方法,是在鐵氧體珠上串聯加入阻尼電阻。加入阻尼電阻後,電阻會吸收共振的能量,從而降低共振程度,並減少過衝與欠衝現象(參見圖 3)。
然而,由於使用這些阻尼電阻會導致電壓相應下降,因此必須留意訊號波高降低是否會造成問題。 鐵氧體珠的特性是:阻抗曲線越陡峭,內部損耗就越低,發生共振的可能性就越高;反之,阻抗曲線越平緩,發生共振的可能性就越低。 因此,避免使用阻抗曲線比必要情況更陡峭的鐵氧體珠,有助於防止過衝和欠衝。
在本節課中,我們討論了鐵氧體珠,而在下一節課中,我們將探討關於片式三端電容器的注意事項。
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